在2026年SPIE光刻与图案化会议上，IBM斟酌院将发表系列相互关联的演讲，变成逻辑图案化往日的统道路图——从图像变成物理学到全经由模块能和器件电气收尾。这些演讲将共同展示业界如何从斟酌阶段转向下代器件，并运转大领域坐褥。
在会议期间，IBM斟酌东谈主员将发表几项新斟酌收尾，共同展示数值孔径EUV、偏振步骤、飞速风险缩小、下代掩膜和光刻胶等多种期间如何协同进半体制造的范围。这些窒碍将完了尺寸和边际位置罪状的缩放，同期保抓对芯片可制造和总领有资本的矜恤。
图案化和键措置案
IBM斟酌院图案化和键措置案司理Luciana Meli将在会议的图案化材料和工艺阐扬分会上发表主旨演讲，玄虚数值孔径EUV和其他分裂率增强期间如何创造要的假想余量，以连续缩放关节尺寸和边际位置罪状。她的收尾标明在数值孔径制造准备面赢得了明确阐扬，提供了将图案化和边际位置罪状步骤推广到2纳米节点除外所需的智商。IBM早在2021年就发布了群众款2纳米节点芯片。
Meli将在演讲中向上胪陈所波及的期间和资本衡量，以及光刻道路图为平静往日缩放方向所需的相应调度。
光刻期间转换
IBM光刻斟酌员Martin Burkhardt也将在会议上发饰演讲，玄虚业界如何通过将k?因子（期间分裂率限的暗意）得低，并推广低数值孔径和数值孔径EUV的实用，在EUV光刻中连续缩鄙吝件尺寸和边际位置罪状。他将演示成像质料如何越来越受到偏振、衰减和偏差的影响，并标明横向电场或TE偏振照明在完了结识、质料成像面具有纷乱的价值主张。
下代期间道路图
为了窒碍数值孔径EUV的限，业界须运挪动念考下个十年需要什么光刻期间。IBM凸起工程师Allen Gabor将发表下代道路图，涵盖器具主意、算计光刻胶主张和简略支抓5纳米以下间距成像的大时势掩膜期间。这些阐扬通过流畅光刻物理学、材料转换和可制造节点，在实验室斟酌和大领域坐褥下代器件之间架起桥梁。
地址：大城县广安工业区器件缩放斟酌阐扬
另有三位斟酌东谈主员将在会议上发饰演讲，证明现时为器件缩放所作念的责任：
栅图案化面，单次曝光EUV栅图案化正在接近基本限，因为飞速噪声在节点动线宽省略度和局部关节尺寸均匀挑战。这些径直影响晶体管变异和能。IBM斟酌员Gopal Kenath将通过协同化光源、光刻胶和掩膜，包括三束照明和下代材料，展示在50纳米以下间距可能大幅减少低频和合座省略度，破低数值孔径缩放干系并为往日栅缩放开导新门路。
战役孔图案化面，IBM斟酌员Dario Goldfarb将量化0.55数值孔径EUV和0.33数值孔径EUV之间的实践能相反。使用化学放大光刻胶和金属氧化物光刻胶，该斟酌评估关节尺寸和间距缩放，以及包括掩膜罪状增强因子、焦、局部关节尺寸均匀和飞速纰谬在内的其他矜恤点，树立数值孔径何时以及如何为二维特征提供产量关联改良。
金属图案化和电气关联面，IBM斟酌员Chris Penny将比较用低数值孔径和数值孔径EUV图案化的嵌入铜和减法钌经由。通过详备表征，该责任将提供图案化和集成遴荐的瓦解对比评估，以录用平静下代能方向的保真互连。
生态系统作转换廊坊储罐保温施工队
IBM斟酌团队将在演讲中展示个集成的研发管谈，将基础成像窒碍挪动为集建设绪的工艺模块——终挪动为器件能增益。从偏振工程成像的阐扬到数值孔径互连演示，每项孝顺皆加强了AI时期缩放的统道路图。
这16场期间演讲集体了得了IBM半体转换引擎的实力，涵盖逻辑光刻、封装和计量学。这些力争通过奥尔巴尼生态系统的作伙伴向上放大——包括TEL、Nova、Lam、ASML、Fractilia和布鲁克海文国实验室——他们的作加快了总共这个词半体堆栈的阐扬，并加强了总共这个词转换管谈。
以下是IBM及作伙伴在本年会议上的完好意思演讲列表：
IBM光刻道路图：往日光刻器具和掩膜需求以及避飞速纰谬的光刻胶条目
2026年2月24日，下昼2-3点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220A
在线二次离子质谱对器件可靠和能的影响评估（与Nova联论文）
2026年2月25日，下昼5-7点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大厅2
使用数值孔径EUV光刻探索战役孔图案化的限
2026年2月25日，下昼2点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，管道保温施工210C室
使用偏振步骤的EUV低k?光刻出息
2026年2月23日，上昼11点-中午12点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220A
通过光源-光刻胶-掩膜协同化缩放单次曝光EUV栅线边际省略度
2026年2月24日，上昼9-10点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220A
削弱EUV光刻胶CD-SAXS计量中的X射线诱损害（与布鲁克海文国实验室联论文）
2026年2月26日，下昼4-5点（太平洋圭臬期间）｜会议中心廊坊储罐保温施工队，210A室
越缩放：AI时期的数值孔径EUV、边际位置罪状和飞速步骤
2026年2月23日，上昼10-11点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210C室
评估三维工程干光刻胶膜在0.33数值孔径和数值孔径EUV图案化中的能（与Lam Research联）
2026年2月24日，下昼2点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210C室
数值孔径EUV在节点减法互连图案化中的评估
2026年2月26日，上昼11点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220C
受晶圆描绘和掩膜版缝影响的下代封装光刻工艺化
2026年2月23日，下昼2-3点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220A
EUV紧间距愚弄的光酸产生剂假想斟酌（与Qnity联）
2026年2月24日，上昼9点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210C室
负调剂金属氧化物光刻胶的化显影法和蚀刻协同化能（与TEL联）
2026年2月23日，下昼1-2点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210C室
图案化结构上区域遴荐千里积工艺的在线XPS计量（与Nova联）
2026年2月25日，上昼9-10点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210A室
结插值参考计量和OCD机器学习的混键铜凹下在线监测（与Nova联）
2026年2月24日，上昼10-11点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210A室
测量战役孔散布用于算计缺失战役孔率（与Fractilia联）
2026年2月26日，下昼4点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210A室
用于半体制造和全集成方向计量的在线XPS（与Nova联）
2026年2月23日，下昼4点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210A室
纳米片晶体管器件化计量的基于模子的拉曼模拟（与Nova联）
2026年2月24日，上昼8-9点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，210A室
封装的光刻转换：完了大场集成的可推广（与ASML联）
2026年2月23日，下昼3点（太平洋圭臬期间）｜会议中心，大饮宴厅220A
Q&A
Q1：数值孔径EUV期间比拟传统EUV有什么势？
A：数值孔径EUV期间比拟0.33数值孔径的传统EUV，简略权贵关节尺寸和间距缩放智商，提供好的焦、局部关节尺寸均匀，并减少飞速纰谬。这项期间为2纳米以下节点的制造提供了要的假想余量，简略完了精度的图案化和边际位置罪状步骤。
Q2：IBM如何措置EUV光刻中的飞速噪声问题？
A：IBM通过多种式措置飞速噪声问题：协同化光源、光刻胶和掩膜系统，秉承三束照明和下代材料期间，使用TE偏振照明完了结本色量成像。这些期间简略大幅减少50纳米以下间距的低频和合座省略度，破传统缩放干系限制。
Q3：这些光刻期间窒碍对AI芯片发展有什么趣味趣味？
A：这些期间窒碍为AI时期的芯片发展提供了关节维持。通过完了小的器件尺寸和精准的边际位置罪状步骤廊坊储罐保温施工队，简略制造出能强的AI芯片。IBM展示的集成研发管谈将基础成像窒碍挪动为实践的器件能增益，为AI筹办需求提供了要的半体制造智商。
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